氮化鎵作為第三代半導(dǎo)體材料,是5G時代的最大受益者之一,小米等不少品牌都推出了氮化鎵充電器。有機構(gòu)預(yù)測,2020將會是氮化鎵充電器爆發(fā)年。近日海特高新(002023)因全球發(fā)布5G宏基站氮化鎵芯片制造解決方案,引來機構(gòu)密集調(diào)研,而星徽精密(300464)也與小米一同入股世界上第一家氮化鎵功率IC公司納微半導(dǎo)體,不僅可以借此獲得大量訂單,還可以增強在充電芯片領(lǐng)域的先進技術(shù)儲備,鞏固旗下品牌在全球消費電子產(chǎn)品配件領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位。

　　2020年2月13日,小米通過線上直播的形式,面向百萬觀眾,正式發(fā)布了小米10Pro系列手機以及部分配件產(chǎn)品。其中,小米65W氮化鎵充電器成為一大重要亮點。

　　小米65W GaN充電器Type-C 65W的核心器件采用的是納微半導(dǎo)體的NV6115和NV6117 GaNFast功率IC。GaNFast功率IC使用氮化鎵(GaN),這是一種新的半導(dǎo)體材料,其運行速度比以前的硅(Si)電源芯片快100倍,因此僅需45分鐘即可對小米10 Pro 進行0至100%的充電。使用GaNFast技術(shù),小米65W GaN充電器只有56.3 x 30.8 x 30.8mm(53 cc),是標(biāo)準(zhǔn)適配器尺寸的一半。

　　世界級的巨頭,如德州儀器,恩智浦,臺積電,都有在氮化鎵芯片上有大投入。Navitas的Navitas GaNFast? 電源IC可以為移動、消費、企業(yè)和新能源市場提供體積更小、能效更高、成本更低的電源。

　　GaN將以其功率水平和高頻性能成為 5G 的關(guān)鍵技術(shù)。5G將帶來半導(dǎo)體材料革命性的變化,因為對5G的嚴(yán)格要求不僅體現(xiàn)在宏觀上帶來基站密度致密化,還要求在器件級別上實現(xiàn)功率密度的增強。特別是隨著通訊頻段向高頻遷移,基站和通信設(shè)備需要支持高頻性能的射頻器件。雖然許多其它化合物半導(dǎo)體和工藝也將在5G發(fā)展中發(fā)揮重要作用,但GaN 的優(yōu)勢將逐步凸顯。

　　中信證券近日發(fā)布研報表示,目前國內(nèi)已有多家廠商布局GaN快充,預(yù)計隨著用戶對便攜性的需求提高,2025年全球GaN快充市場規(guī)模有望600多億元,同時加速GaN芯片在其他新興領(lǐng)域?qū)i基產(chǎn)品的替代。

　　預(yù)計到2025年,GaN將主導(dǎo)射頻功率器件市場,搶占基于硅LDMOS技術(shù)的基站PA市場。

　　有機構(gòu)表示,半導(dǎo)體第三代材料GaN氮化鎵應(yīng)用將帶來三方面的受益機會:一是5G,未來全行業(yè)上下游都可能采用這一新材料;二是射頻,由于5G對射頻功率、耗能要求的提升,5G射頻領(lǐng)域?qū)⒅饾u用氮化鎵取代硅基材料;三是快充產(chǎn)業(yè)鏈條供應(yīng)商。

　　其中最常見的一個應(yīng)用場景,莫過于是充電類/移動電源產(chǎn)品。這個市場,單單是安克創(chuàng)新2018年來自充電類產(chǎn)品的收入就多達33.21億,幾乎所有知名跨境電商大賣家如傲基、澤寶等,都有配置充電類產(chǎn)品線。

　　而澤寶正是星徽精密(300464)的全資子公司深圳市澤寶創(chuàng)新技術(shù)有限公司,出資682萬元取得美國納微半導(dǎo)體公司(NavitasSemiconductor,Inc,)0.07%的股權(quán)。

　　納微半導(dǎo)體不僅成功助力小米65W氮化鎵充電器上市,而且還獲得了小米的投資。通過資金注入,確立產(chǎn)業(yè)鏈上下游合作,同時兼顧投資和業(yè)務(wù)的雙重收益。通過此次合作,納微半導(dǎo)體也得以拓寬銷售渠道,成為氮化鎵快充行業(yè)的最大贏家。納微半導(dǎo)體除了進入小米快充供應(yīng)鏈之外,還與Anker、AUKEY、Belkin、倍思、紫米、HYPER JUICE、Ravpower、SlimiQ等全球多家知名3C配件企業(yè)建立了良好的合作關(guān)系,并聯(lián)合開發(fā)出了數(shù)十款氮化鎵快充產(chǎn)品。

　　雖然只是小股東,但澤寶借此獲得大量訂單,同時也布局全球尖端技術(shù),進行在充電芯片領(lǐng)域的先進技術(shù)儲備,有助于星徽精密鞏固旗下品牌在全球消費電子產(chǎn)品配件領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位,從品牌和技術(shù)研發(fā)兩端同時發(fā)力,做更長遠的布局。

　　在其它領(lǐng)域,也有上市公司打造了核心優(yōu)勢,如海特高新,其子公司海威華芯在中國率先提供六英吋砷化鎵(GaAs)集成電路的純晶圓代工(Foundry)服務(wù);在第三代半導(dǎo)體(氮化鎵GaN)領(lǐng)域擁有國際領(lǐng)先、國內(nèi)一流的技術(shù);在全球氮化鎵芯片專利技術(shù)屬于一流梯隊。國金證券認(rèn)為,海特高新作為第三代半導(dǎo)體國際領(lǐng)先者,氮化鎵芯片空間大。

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